vozExpress - trang tin cộng đồng xây dựng và cập nhật bởi cộng đồng thành viên vozForums,
một trong những cộng đồng trực tuyến nói tiếng Việt lớn nhất về chủ đề công nghệ.
Và cần thêm 1 – 2 năm nữa để chuẩn bộ nhớ mới bắt đầu chiếm lĩnh thị trường. Đấy là nhận định của giới công nghiệp Đài Loan. Nhận định này tương đối khớp với dự báo của iSuppli, khi cho rằng 2014 mới là lúc bộ nhớ DDR4 đi vào ổn định.
Những chip nhớ DRAM DDR4 đầu tiên sẽ được sản xuất trên tiến trình bán dẫn 30nm. Samsung và Hynix là 2 hãng chế tạo chip nhớ đầu tiên từng hé lộ kế hoạch sản xuất hàng loạt sản phẩm DDR4 trong 2012.
Theo Samsung, bộ nhớ DDR4 sẽ có tốc độ từ 1,6 – 3,2 Gbps, so với 1,6 Gbps của DDR3 hiện nay và 800 Mbps của DDR2 vài năm trước. Các module DDR4 mới của hãng này hiện đạt được băng thông 2,133 Gbps khi hoạt động ở điện thế 1,2 V, giảm đi 40% lượng điện tiêu thụ so với mức 1,5 V của module DDR3.
Còn Hynix cho hay sản phẩm DDR4 của mình nhanh hơn 80% so với các module DDR3 1333 Mbps, khi hoạt động ở điện thế 1,2 V.
Samsung cho biết họ đã bắt đầu việc sản xuất các thanh bộ nhớ RAM DIMM có dung lượng 32GB. Loại bộ nhớ mới sẽ tiêu thụ ít điện năng hơn các thế hệ trước đó và giúp tạo nên các server có hiệu quả hơn. Ngoài ra, Samsung cũng sẽ hé lộ về dây chuyền DRAM 20nm của mình vào nửa cuối năm nay. đọc tiếp…
Hãng Elpida vừa thông báo về việc hãng này đã thành công trong việc sản xuất các chip DDR3 SDRAM 2Gb có kích thước nhỏ nhất thế giới. Các chip 2Gb DDR3 này được sản xuất trên tiến trình 30nm; và với việc chuyển sang tiến trình 30nm này, kết quả sản xuất chip nhiều hơn 45% trên mỗi wafer so với tiến trình 40nm, do đó chi phí cho mỗi chip sẽ rẻ hơn.
Elpida 30nm 2Gb DDR3 SDRAM có thể hoạt động tại tốc độ 1866MHz ở mức điện thế 1.5V hoặc tốc độ 1600MHz ở điện thế 1.35V. Hãng Elpida hi vọng rằng sẽ đưa vào sản xuất đại trà các chip 2Gb này vào tháng 12 năm nay; và khi ấy, giá RAM DDR3 có thể sẽ giảm, hoặc ít ra chúng ta có những thanh RAM với tốc độ cao hơn, tốt hơn và tiêu thụ ít năng lượng hơn.
Được giới thiệu vào đầu năm nay, sản phẩm RAM 2Gb Green DDR3 của Samsung dựa trên tiến trình 30nm sẽ bắt đầu đi vào sản xuất đại trà. Sản phẩm này sẽ sẵn sàng đáp ứng các nhu cầu về tốc độ, mức độ tiêu thụ năng lượng và tương thích với các máy chủ thế hệ mới dành cho điện toán đám mây cũng như ảo hóa.
Chip DDR3 30nm của Samsungcó thể hoạt động ớ tốc độ 1866MHz với điện thế 1.35V; và tại mốc tốc độ 2133MHz với điện thế 1.5V. Bộ nhớ mới này của Samsung sẽ được sử dụng cho desktop, laptop, server, netbook và các thiết bị di động khác. Hiện tại, Samsung đã bắt tay vào sản xuất các thanh nhớ DDR3 dung lượng 4GB dựa trên công nghệ 30nm này vào cuối năm nay.
Samsung Electronics mới đây đã rất tự hào khi tuyên bố rằng, họ đang phát triển bộ nhớ DRAM đầu tiên sử dụng công nghệ 30nm, với dung lượng 2GB DDR3. Theo công ty điện tử đến từ Hàn Quốc này, công nghệ 30nm nói trên sẽ giúp tăng năng suất lên đến 60% so với công nghệ 40nm, và giảm một nửa chi phí so với chu trình 50nm/60nm. đọc tiếp…
Loading ...