vozExpress - trang tin cộng đồng xây dựng và cập nhật bởi cộng đồng thành viên vozForums,
một trong những cộng đồng trực tuyến nói tiếng Việt lớn nhất về chủ đề công nghệ.
JEDEC, một trong các hiệp hội tiêu chuẩn công nghiệp điện tử, vừa công bố một số tính năng chính yếu cho thế hệ bộ nhớ SDRAM tiếp theo, DDR4. JEDEC dự kiến đến giữa năm sau, các tiêu chuẩn chính thức cho DDR4 sẽ được thông qua để loại bộ nhớ này có thể đi vào sản xuất hàng loạt. đọc tiếp…
Và cần thêm 1 – 2 năm nữa để chuẩn bộ nhớ mới bắt đầu chiếm lĩnh thị trường. Đấy là nhận định của giới công nghiệp Đài Loan. Nhận định này tương đối khớp với dự báo của iSuppli, khi cho rằng 2014 mới là lúc bộ nhớ DDR4 đi vào ổn định.
Những chip nhớ DRAM DDR4 đầu tiên sẽ được sản xuất trên tiến trình bán dẫn 30nm. Samsung và Hynix là 2 hãng chế tạo chip nhớ đầu tiên từng hé lộ kế hoạch sản xuất hàng loạt sản phẩm DDR4 trong 2012.
Theo Samsung, bộ nhớ DDR4 sẽ có tốc độ từ 1,6 – 3,2 Gbps, so với 1,6 Gbps của DDR3 hiện nay và 800 Mbps của DDR2 vài năm trước. Các module DDR4 mới của hãng này hiện đạt được băng thông 2,133 Gbps khi hoạt động ở điện thế 1,2 V, giảm đi 40% lượng điện tiêu thụ so với mức 1,5 V của module DDR3.
Còn Hynix cho hay sản phẩm DDR4 của mình nhanh hơn 80% so với các module DDR3 1333 Mbps, khi hoạt động ở điện thế 1,2 V.
Và 2 năm trước đó, DDR3 vẫn là chuẩn DRAM chiếm lĩnh thị trường. Theo nghiên cứu mới đây của công ty phân tích thị trường iSuppli, đến 2014, chuẩn DDR4 mới chính thức ra mắt và chiếm 12% thị trường. Tuy vậy chỉ 1 năm sau, DDR4 sẽ nhanh chóng “bứt phá” lên mức 56%.
Quay lại mốc năm nay, iSuppli dự kiến sẽ có 808 triệu module DRAM được bán, trong đó 89% là của DDR3. Chuẩn DDR2 sẽ chỉ chiếm 9% trong 2011. 2% bé nhỏ còn lại thuộc thế hệ DDR đầu tiên. đọc tiếp…
Nhà sản xuất bộ nhớ từ Hàn Quốc vừa thành công trong việc chế tạo các chip nhớ DDR4 2GB thông thường và 2GB ECC SODIMMs có thể hoạt động tại tần số 2400 MHz. Loại chip nhớ này hoạt động tại mức điện thế là 1.2V và được chế tạo bằng dây chuyền 30nm. Với độ rộng giao tiếp I/O là 64bit, những con chip này cung cấp băng thông lên đến 19.2 GB/s. Trước đó người đồng hương Samsung của Hynix đã phát triển những con chip tương tự nhưng với mức xung thấp hơn là 2133 MHz.
Giám đốc Marketing của Hynix là Ji-Bum Kim cho biết các sản phẩm DDR4 của Hynix sẽ có hiệu năng cao và tiết kiệm điện năng. Khách hàng mà Hynix hướng đến không chỉ nằm ở mảng PC mà sẽ cả ở thị trường tablet.
DDR4 sẽ được Hynix đưa vào sản xuất chính thức với số lượng lớn và nửa cuối năm 2012.
Hãng điện tử Samsung vừa thông báo về module DDR4 đầu tiên xuất hiện trên thế giới do mình nghiên cứu phát triển. Thanh nhớ DDR4 này của Samsung sử dụng các chip nhớ DRAM sản xuất trên quy trình công nghệ 30nm, hoạt động tại tốc độ 2133MHz và chỉ cần cung cấp điện thế 1.2V. đọc tiếp…
… với tốc độ có thể đạt mức 4,266 GHz
Song không hẳn mọi thứ sẽ tốt hơn thế hệ trước … Phác thảo sơ bộ về bộ nhớ DDR4 SDRAM (gọi tắt DDR4) được trình bày tại hội thảo về bộ nhớ MemCon gần đây được tổ chức ở Tokyo (Nhật) cho hay, sẽ có một số khó khăn buộc phải đánh đổi nhằm được đạt mức hiệu năng cao như vậy. Và thực tế thì giai đoạn ra mắt ban đầu, các module DDR thường có tốc độ không cao đến thế. đọc tiếp…
Mặc dù bị chìm trong một “biển” tin tức về Computex vừa rồi nhưng vẫn còn vài điều thú vị của hội chợ này mà tôi tin rằng các bạn sẽ khá bất ngờ khi được nghe tới.
Tại đây, có một bộ kit RAM DDR3-1333MHz với điện áp cực thấp: chỉ 1.2V được trưng bày tại gian hàng Hank “Hunk” Cheng của hãng GeIL, và nó bị che lấp bởi sự tỏa sáng của DDR3-2133MHz dành cho Core i7.
Loading ...