vozExpress - trang tin cộng đồng xây dựng và cập nhật bởi cộng đồng thành viên vozForums,
một trong những cộng đồng trực tuyến nói tiếng Việt lớn nhất về chủ đề công nghệ.
Khi mà tablet, smartphone, e-reader và các thiết bị di động khác đang dần trở nên phổ biến hơn PC trên thị trường, ngành công nghiệp công nghệ cũng đang chuyển mình thay đổi cho phù hợp. Thông tin mới nhất về sự thay đổi này đến từ mảng thị trường bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên (random access memory – RAM): tỉ lệ của chip RAM di động sẽ tăng lên so với năm 2012 vừa qua. đọc tiếp…
Và cả 2 công ty trên cho thấy vai trò quan trọng của Hàn Quốc trong nền công nghiệp điện toán toàn cầu, khi đóng góp hơn 60% lượng chip DRAM trong Q2 vừa qua. Đất nước xứ Kim Chi này đã vượt qua Nhật trong nhiều năm khi trở thành khu vực địa lý cung cấp nhiều chip DRAM nhất cho thế giới. đọc tiếp…
Hynix và Toshiba vừa công bố về kế hoạch sẽ hợp tác phát triển loại bộ nhớ MRAM trong tương lai. 2 người khổng lồ trong ngành công nghiệp bán dẫn sẽ thành lập nhà máy sản xuất chung loại bộ nhớ này một khi công nghệ được phát triển hoàn chỉnh. Điều này hứa hẹn về khả năng được sử dụng trong tương lai của MRAM khá nhiều. đọc tiếp…
Và cần thêm 1 – 2 năm nữa để chuẩn bộ nhớ mới bắt đầu chiếm lĩnh thị trường. Đấy là nhận định của giới công nghiệp Đài Loan. Nhận định này tương đối khớp với dự báo của iSuppli, khi cho rằng 2014 mới là lúc bộ nhớ DDR4 đi vào ổn định.
Những chip nhớ DRAM DDR4 đầu tiên sẽ được sản xuất trên tiến trình bán dẫn 30nm. Samsung và Hynix là 2 hãng chế tạo chip nhớ đầu tiên từng hé lộ kế hoạch sản xuất hàng loạt sản phẩm DDR4 trong 2012.
Theo Samsung, bộ nhớ DDR4 sẽ có tốc độ từ 1,6 – 3,2 Gbps, so với 1,6 Gbps của DDR3 hiện nay và 800 Mbps của DDR2 vài năm trước. Các module DDR4 mới của hãng này hiện đạt được băng thông 2,133 Gbps khi hoạt động ở điện thế 1,2 V, giảm đi 40% lượng điện tiêu thụ so với mức 1,5 V của module DDR3.
Còn Hynix cho hay sản phẩm DDR4 của mình nhanh hơn 80% so với các module DDR3 1333 Mbps, khi hoạt động ở điện thế 1,2 V.
Nhà sản xuất bộ nhớ từ Hàn Quốc vừa thành công trong việc chế tạo các chip nhớ DDR4 2GB thông thường và 2GB ECC SODIMMs có thể hoạt động tại tần số 2400 MHz. Loại chip nhớ này hoạt động tại mức điện thế là 1.2V và được chế tạo bằng dây chuyền 30nm. Với độ rộng giao tiếp I/O là 64bit, những con chip này cung cấp băng thông lên đến 19.2 GB/s. Trước đó người đồng hương Samsung của Hynix đã phát triển những con chip tương tự nhưng với mức xung thấp hơn là 2133 MHz.
Giám đốc Marketing của Hynix là Ji-Bum Kim cho biết các sản phẩm DDR4 của Hynix sẽ có hiệu năng cao và tiết kiệm điện năng. Khách hàng mà Hynix hướng đến không chỉ nằm ở mảng PC mà sẽ cả ở thị trường tablet.
DDR4 sẽ được Hynix đưa vào sản xuất chính thức với số lượng lớn và nửa cuối năm 2012.
Sau các dự đoán về sự sụt giảm thị phần của chip đồ hoạ rời (DGP) khi các chip đồ hoạ tích hợp (IGP) ngày càng lấn sân nhiều hơn trong tương lai, đến lượt thị phần các chip nhớ dành cho mục đích đồ hoạ (chủ yếu là GDDR) cũng rơi vào tình cảnh tương tự : chúng sẽ ngày càng ít đi. Một dự đoán từ iSuppli cho thấy điều đó. đọc tiếp…
HP vừa liên hệ với nhà sản xuất bộ nhớ Hynix Semiconductor để mang công nghệ memristor của họ ra thị trường. Tuy chỉ mới được khám phá ra vào năm 2006, memristor đã sớm được biết đến trong vài trò là yếu tố thứ tư trong quy trình bán dẫn cơ bản – bên cạnh các yếu tố khác là điện trở, tụ và điện cảm – và HP tin rằng các chip được tạo ra bằng công nghệ này có thể chạy nhanh hơn đáng kể và tiết kiệm năng lượng hơn nhiều so với các công nghệ chip nhớ Flash memory hiện nay. đọc tiếp…
Hãng sản xuất bộ nhớ Flash của Hàn Quốc vừa công bố, các chip nhớ 64Gb (tương đương 8GB) với công nghệ NAND Flash trên dây chuyền 20nm của hãng đã có thể sản xuất đại trà. Tiến trình 20nm này đang chạy tại fab M11 với kích thước wafer 300mm, tại Cheongju, Hàn Quốc.
Theo Hynix, bước nhảy 2xnm này giúp hãng đạt được thêm 60% hiệu năng sản xuất hàng loạt, so với công nghệ 3xnm cũ. Các chip nhớ cũng sẽ rẻ hơn, dung lượng cao hơn và sẽ dần được phổ biến trên các thiết bị quan trọng như điện thoại di động, thẻ nhớ, máy nghe nhạc và tất nhiên, cả SSD nữa.
Việc chip nhớ 64Gb của Hynix sản xuất thành công trên dây chuyền 20nm sẽ đáp ứng nhu cầu đang ngày càng tăng cao từ phía các công ty đối tác. Với thế hệ chip mới này, Hynix sẽ dần khẳng định lại vị thế của mình trên thị trường sản xuất NAND Flash thế giới. Các sản phẩm sử dụng chip nhớ này sẽ xuất hiện sớm nhất là vào cuối năm nay.
Hynix vừa công bố về chip nhớ GDDR5 2Gb sử dụng công nghệ 40nm đầu tiên của họ. Cho đến thời điểm hiện tại, đây sẽ là loại chip nhớ có tốc độ nhanh nhất và dung lượng cao nhất dành cho card đồ họa. Băng thông hoạt động của chip nhớ này là 7Gbps và có thể lên đến 28GB/s với các luồng 32-bit I/O, con số ấn tượng so với các thế hệ hiện tại (vào khoảng 3.6Gbps).
Không chỉ vậy, loại chip nhớ này còn tiêu thụ ít điện năng khi hoạt động tại mức điện thế 1.35V, giảm điện năng tiêu thụ khoảng 20% so với các dòng sản phẩm sử dụng công nghệ 50nm. Loại chip nhớ này sẽ được sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm sau và đáp ứng nhu cầu của những card đồ họa mới.
Mặc dù chưa thể tiến đến quy trình 40 nm sớm như các đối thủ, nhưng nhà sản xuất RAM nổi tiếng đến từ Hàn Quốc Hynix cũng tạo được những dấu ấn nhất định trên thị trường bằng việc chính thức giới thiệu thế hệ RAM DDR3 1 GB thứ 2 của mình.
Vẫn thiết kế trên quy trình 54 nm nhưng 2 mẫu RAM mới nhất của Hynix : H5TQ1G43TFR và H5TQ1G83TFR lại thể hiện một hiệu năng ấn tượng hơn hẳn trong khi vẫn đảm bảo mức tiêu thụ điện cực thấp. Theo nhà sản xuất, cả 2 sản phẩm đều hoạt động ở điện thế chuẩn của DDR3 (1,5 V) tuy nhiên mức điện năng tiêu thụ của nó giảm gần 30% so với những người tiền nhiệm. đọc tiếp…
Loading ...