vozExpress - trang tin cộng đồng xây dựng và cập nhật bởi cộng đồng thành viên vozForums,
một trong những cộng đồng trực tuyến nói tiếng Việt lớn nhất về chủ đề công nghệ.
Nhằm mục đích phá vỡ rào cản về bộ nhớ trên các hệ thống máy tính hiệu năng cao, cũng như các thiết bị mạng thế hệ kế tiếp, hãng Samsung Electronic và Micron Technology vừa hợp tác cùng nhau. Cả 2 nhà sản xuất nhiều kinh nghiệm về bộ nhớ NAND này đã cùng bắt tay thành lập Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), đẩy mạnh ứng dụng công nghệ Hybrid Memory Cube (HMC) – mô hình sản xuất bộ nhớ vừa được Micron thảo ra cách đây không lâu. đọc tiếp…
“Công nghệ nổi bật nhất năm” của Intel dường như đã có được đối thủ xứng tầm, nếu không muốn nói là trội hơn từ bộ đôi IBM và 3M, một đối tác nghiên cứu của IBM. Về cơ bản, thứ mà IBM đang nghiên cứu có thể thay đổi hoàn toàn bộ mặt giới công nghiệp bán dẫn. đọc tiếp…
Khi các tiến trình bán dẫn đang ngày càng tiến đến giới hạn vật lý, yêu cầu đòi hỏi làm ra được các mạch IC mới có hiệu suất cao hơn ngày càng khó đạt được hơn, nếu các nhà sản xuất không tìm được ý tưởng nào mang tính cách mạng. Mới đây tại sự kiện Hot Chips 23, một trong các đơn vị sản xuất DRAM hàng đầu, Micron, vừa thảo ra một mô hình sản xuất bộ nhớ mới có thể giúp nền công nghiệp vượt qua được các khó khăn trước mắt. Mô hình này có tên Hybrid Memory Cube (HMC). đọc tiếp…
Samsung Electronics vừa có 1 bước tiến lớn trong việc sản xuất bộ nhớ khi giới thiệu các thanh nhớ DDR3 dành cho máy chủ có mức dung lượng 32GB. Các thanh nhớ DDR3 32GB này được sản xuất bằng công nghệ đóng gói 3D TSV (through silicon via), có khả năng tiết kiệm năng lượng cao. đọc tiếp…
Theo một báo cáo từ Hội đồng Phát triển Ngoại thương Đài Loan (TAITRA), TSMC hiện đang có một dự án nhằm tạo ra con chip 3D đầu tiên trước Intel. Nhưng khác với kỹ thuật FinFET (hay 3-D transistor) mà Intel đang triển khai, TSMC dùng kỹ thuật TSV (through silicon via) tương đối dễ thực hiện hơn. Và cuộc đua ai làm được “chip 3D” trước bắt đầu … đọc tiếp…
Như Global Foundries (GF), TSMC hiện là đơn vị gia công bán dẫn đứng đầu thế giới. Do vậy mỗi bước đi của công ty này đều ảnh hưởng không nhỏ tới định hướng phát triển của nhiều hãng có nhu cầu thuê dịch vụ gia công. Mới đây, hãng này vừa tổ chức sự kiện TSMC 2011 Technology Symposium (hội nghị chuyên đề công nghệ) tại 3 thành phố lớn của Mỹ : San Jose, Austin và Boston. Sau đây là các trọng tâm chính được tạp chí EE Times ghi nhận. đọc tiếp…
Ngày hôm qua, 7 tháng 12, Samsung Electronics đã thông báo về việc phát triển các module registered dual inline memory dung lượng 8GB – Green DDR3 DRAM. Các module memory mới này đã được thử nghiệm thành công bởi các khách hàng chính của Samsung, nó có khả năng cung cấp hiệu năng tuyệt vời nhờ sử dụng công nghệ three-dimensional (3D) chip stacking mới – TSV (viết tắt của through silicon via). Đây không chỉ là công nghệ sản xuất bộ nhớ mà còn là công nghệ đóng gói chip mới. đọc tiếp…
Loading ...