kiến thức [Dịch] Hướng dẫn OC DDR4

.Sgepk. đã nói:

Các bác cho e hỏi , 3600 vs 3800 chơi game thì chọn cái nào hiệu quả hơn ạ

Nhấp để mở rộng...

maimaiyeu52 đã nói:

3600 độ trễ ngon hơn hẳn kìa.

Nhấp để mở rộng...

.Sgepk. đã nói:

Tức là độ trễ quan trọng hơn read/write/copy đk ạ

Nhấp để mở rộng...

maimaiyeu52 đã nói:

Thực ra cả 2 đều quan trọng, nhưng oc ram hình trên ở 3k8 chưa tối ưu, vì độ trễ tăng quá cao so với 3k6. Thông thường nếu ram tăng 200mhz thì độ trễ tăng vài điểm ns thôi.

Nhấp để mở rộng...

.Sgepk. đã nói:

Gear2 bị latency cao hơn Gear1 đk ạ

Nhấp để mở rộng...

tienhoangtu đã nói:

Mọi người ơi mình đọc bài chả hiểu cái gì.mình mới mua cặp xpg d50 buss 3k2 và sài main b660m pro rs i3 12100f thì oc ram mức nào là tối ưu nhất cho chơi game ạ

Nhấp để mở rộng...

maimaiyeu52 đã nói:

Bật xmp xong chơi thôi, oc ram vì đam mê là chính

Nhấp để mở rộng...

tienhoangtu đã nói:

Thì nếu e muốn oc lên 3k6 hay 4k thì thông số đặt như nào á bác.chắc oc ram lên pfs cũng cao hơn 5-10% ý bác

Nhấp để mở rộng...

.Sgepk. đã nói:

Các bác cho e hỏi , 3600 vs 3800 chơi game thì chọn cái nào hiệu quả hơn ạ

Nhấp để mở rộng...

Cuong koi đã nói:

theo mình nhìn thì 3600 độ trễ thấp hơn, băng thông tầm 3600 dư sức chạy đa số game lên trường hợp này độ trễ thấp là tốt nhất.

Nhấp để mở rộng...

troll159753 đã nói:

Tới Post 1, Post 2, Post3, Post4​

Post 4 có bài giải thích về cấu tạo, cơ chế hoạt động và định nghĩa, giải thích về các timing của RAM. Nếu ai mới bắt đầu hoặc chưa nắm rõ thì nên tìm đọc ở phần đó trước khi đi vào bài dịch hướng dẫn OC. Còn không thì có thể tạm để đó và sau này quay lại tham khảo khi cần thiết.

Phần hướng dẫn OC DDR4 lấy từ trên github, được tổng hợp từ nhiều nguồn và có nhiều người đóng góp. Tôi chỉ dịch lại để thuận tiện cho người không rành tiếng Anh nhưng muốn ép xung RAM đọc và tìm hiểu.

Một số bình luận của tác giả có thể bị lượt bớt. Trong quá trình dịch tôi có thể thêm vào một số ghi chú để làm rõ vài vấn đề nếu thấy cần thiết.

Phần nói về tốc độ RAM tôi sẽ cố đổi thành MT/s thay vì MHz nếu có thể bởi vì cách gọi đó là chính xác hơn. Đa số thường nhầm giữa 2 chỉ số này, xung nhịp thực sự của RAM chỉ = 1/2 tốc độ được quảng cáo thôi.

Link bản gốc: https://github.com/integralfx/MemTestHelper/blob/master/DDR4 OC Guide.md

Mục lục
Post 1

• Setup
  • Memory Testing Software
  • Timings Software
  • Benchmarks
• General RAM Info
  • Frequency and Timings Relation
  • Primary, Secondary and Tertiary Timings
• Expectations/Limitations
  • Motherboard

Post 2

• ICs
  • Thaiphoon Report
  • Label on Sticks
  • A Note on Ranks and Density
  • Voltage Scaling
  • Expected Max Frequency
  • Binning
  • Maximum Recommended Daily Voltage
  • Ranking
• Integrated Memory Controller (IMC)
  • Intel - LGA1151
  • AMD - AM4

Post 3

• Overclocking
  • Finding a Baseline
  • Trying Higher Frequencies
  • Tightening Timings
• Miscelaneous Tips
  • Intel
  • AMD
• Useful Information

Post 4

• Cấu tạo, tổ chức và cơ chế hoạt động
• Lệnh, tín hiệu điều khiển và timing

==================​

Setup (Chuẩn bị)

• Đảm bảo những thanh RAM được cắm vào khe do hãng main đề nghị (thông thường là khe 2 và 4).
• Đảm bảo CPU chạy ổn định trước khi ép xung RAM, bởi nếu CPU không ổn định có thể dẫn đến lỗi bộ nhớ. Và khi đẩy xung RAM lên cao với timing chặt thì có thể làm CPU mất ổn định.
• Đảm bảo BIOS đang ở bản mới nhất.
• Dùng Thaiphoon để biết RAM của mình đang dùng chip nhớ gì, điều này giúp có cái nhìn sơ lược về khả năng ép xung và timing cây RAM có thể đạt được.
• Lưu ý là chỉ chỉnh timing trong BIOS, không chỉnh bằng bất cứ phần mềm nào khác.

Memory Testing Software (Phần mềm test RAM)

• Dùng MemTestHelper (HCI MemTest) hoặc phần mềm kiểm tra mình muốn. Karhu RAM Test (có trả phí) là một lựa chọn tốt. AIDA64 và Memtest64 bị loại khỏi danh sách đề nghị bởi hai phần mềm đó không có khả năng tìm lỗi tốt lắm.
• TM5 với extreme config của anta777dường như có thể tìm lỗi nhanh hơn Karhu RAM Test, theo đánh giá của một người dùng nào đó.
  • Đảm bảo đã load config, ô hiện trạng thái sẽ ghi 'Customize: Extreme1 @anta777' nếu load thành công (lưu ý là phần mềm sẽ kiểm tra RAM ngay khi vừa được mở lên).
  • Công thuộc về u/nuc3arlion
  • Nếu gặp tình trạng tất cả thread bị crash khi vừa mới mở thì nên chỉnh lại config. Ở hàng "Testing Window Size (Mb)=1408". Thay độ lớn bằng (tổng số RAM dư) / (tổng số thread của CPU). Ví dụ nếu RAM còn dư 12800 MB thì lấy số đó chia cho số thread mình có (12800/16 = 800 MB mỗi thread chẳng hạn)
• Prime95large FFT cũng khá tốt trong việc tìm lỗi bộ nhớ.
  • Sử dụng Custom setting: có thể đặt Min FFT-Max FFT trong khoảng 800K-800k và Memory to use = lượng RAM mình muốn kiểm tra. Nhớ không chọn vào ô 'Run FFTs in place'.
• So sánhgiữa Karhu RAMTest với TM5 sử dụng extreme config
  • TM5 tìm ra lỗi nhanh nhất và cũng nặng nhất. Mặc dù có trường hợp chạy TM5 được 30 phút nhưng lại báo lỗi với Karhu sau 10 phút.
• randomx-stress - có thể dùng để kiểm tra độ ổn định của FCLK (cho AMD Ryzen)

Timing Software (Phần mềm đọc timing cho RAM)

Để đọc timing trong Windows:

• Intel:
  • Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (không nhất thiết phải dùng main Asrock)
  • Main EVGA và Z170/Z270(?)/Z490: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
• AMD:
  • Ryzen 1000/2000: Ryzen Timing Checker.
  • Ryzen 3000: Ryzen Master hoặc ZenTimings.

Benchmarks (Kiểm tra hiệu năng)

• AIDA64 - dùng thử miễn phí 30 ngày. Dùng phần benchmark cache và memory để kiểm tra băng thông và độ trễ của bộ nhớ.
• MaxxMEM2 - miễn phí so với AIDA64. Phần kiểm tra băng thông sẽ thấp hơn AIDA64 do đó kết quả không thể dùng để so sánh trực tiếp với AIDA64 được.
• Super Pi Mod v1.5 XS - kết quả khá nhạy cảm với tốc độ bộ nhớ và dùng kiểm tra khả năng tính toán đơn nhân là chủ yếu. Chọn độ dài dãy số từ 1M - 8M là đủ để kiểm tra nhanh. Nhìn vào mốc thời gian cuối cùng, càng thấp là càng tốt.
• HWBOT x265 Benchmark - nghe nói là cũng khá nhạy cảm với tốc độ bộ nhớ, nhưng vẫn chưa được kiểm chứng - theo lời tác giả.

General RAM Info (Thông tin chung về RAM)

Frequency and Timings Relation (Mối quan hệ giữa xung nhịp và độ trễ)

• Ram frequency (xung nhịp RAM) được đo bằng megahertz (MHz) hoặc số triệu lần chu kỳ(cycle) trong một giây. RAM xung càng cao thì số chu kỳ thực hiện được mỗi giây càng cao, có nghĩa là hiệu năng càng cao.
• RAM timing (độ trễ RAM) được tính bằng số chu kỳ của RAM (cycle). Timing thấp có nghĩa là RAM cần ít chu kỳ hơn để hoàn thành một một lệnh nào đó, có nghĩa là sẽ đạt hiệu năng cao.
• Trường hợp ngoại lệ là tREFI, tức thời gian refresh định kỳ của RAM. Đây là khoảng thời gian giữa các đợt refresh với nhau. Khi RAM đang được refresh thì không thể làm gì khác được. Do đó nếu có thể thì nên đặt khoảng thời gian này (tREFI) càng lâu càng tốt.
• Trong khi timing thấp sẽ có lợi hơn timing cao, nhưng điều này tùy thuộc vào xung nhịp RAM đang chạy. Ví dụ như RAM 3000 CL15 và RAM 3200 CL16 có độ trễ (nếu tính bằng nano giây) như nhau mặc dù RAM 3000 có CL thấp hơn. Điều này là do RAM 3200 có xung nhịp cao hơn bù lại.

Để tính toán độ trễ bằng nano giây (ns) với độ trễ tính bằng số chu kỳ (clock cycle) thì dùng công thức sau:

• Timing theo ns = 2000 * (timing theo clock cycle) / (tốc độ truyền dữ liệu theo MT/s).
• Ví dụ, độ trễ (ns) của RAM 3000 CL15
• Tương tự, RAM 3200 CL16

Ý nghĩa công thức

DDR4 là Double Data Rate, tức với mỗi chu kỳ sẽ truyền dữ liệu 2 lần. Tốc độ ghi trên RAM như 3000, 3200,... là số triệu lần truyền dữ liệu trong một giây (tính bằng MT/s). RAM 3200 có 3200 triệu lần truyền/s, tức một giây truyền dữ liệu được 3,200,000,000 lần, với số chu kỳ của RAM = 1/2 số lần truyền dữ liệu tức là 1,600,000,000 cycle (1600 * 10^6 cycle).​

Tính khoảng thời gian để hoàn thành (ns) một chu kỳ (cycle) với RAM có MT/s = 3200 (1600*10^6 cycle), CL16 như sau:​

• Tính thời gian để hoàn thành một chu kỳ:
  • 1 (s)/ 1600 * 10^6 (cycle) = 0.000625 / 10^6 (s/cycle)
• Lấy kết quả nhân với số chu kỳ của độ trễ (timing):
  • 16 (cycle) * 0.000625 / 10^6 (s/cycle) = 0.01 / 10^6 (s)
• Quy ra ns với 1 (s) = 10^9 (ns).
  • (0.01 / 10^6) * 10^9 = 10 (ns)

Primary, Secondary and Tertiary Timings (Timing chính, cấp 2 và cấp 3)

• Intel

• AMD

• RAM Timing được phân thành 3 loại: primary (chính), secondary (cấp 2), tertiary (cấp 3). Được ghi tắt bằng chữ 'P', 'S', 'T' theo trình tự đã nêu.
  • Primary và secondary timing ảnh hưởng latency (độ trễ truy xuất) và bandwidth (băng thông).
  • Tertiary timing ảnh hưởng băng thông.
  • Trường hợp ngoại lệ là tREFI/tREF, ảnh hưởng cả độ trễ lẫn băng thông.

Expectations/Limitations (Khả năng và giới hạn)

• Có 3 yếu tố chính có thể ảnh hưởng tới khả năng ép xung RAM: chip RAM (ICs), mainboard và IMC (bộ khiển nhớ).

Mainboard

• Main với 2 khe RAM thường có khả năng ép xung RAM tốt nhất.
• Main với 4 khe RAM, thì số thanh RAM cắm vào sẽ ảnh hưởng mức xung nhịp cao nhất mà RAM có thể đạt được.
  • Trên main sử dụng cách bố trí mạch dẫn tín hiệu kiểu daisy chain, 2 thanh RAM là tốt nhất. Dùng 4 thanh sẽ làm giảm khả năng ép xung tối đa của RAM.
  • Main sử dụng cách bố trí mạch dẫn tín hiệu kiểu T-topology có khả năng ép xung 4 thanh tốt hơn kiểu daisy chain nhưng xét về xung nhịp tối đa có thể đạt được thì không bằng.
  • Phần lớn hãng làm main không quảng cáo main của họ dùng kiểu bố trí nào nhưng cũng vẫn có thể đoán sơ được thông qua danh sách QVL. Ví dụ như Z390 Aorus Master chắc dùng T-topology bởi xung nhịp cao nhất được xác nhận là với 4 thanh. Nếu được xác nhận là với 2 thanh thì chắc có thể main sử dụng kiểu daisy chain.
  • Theo buildzoid, daisy chain hay T-topology chỉ đáng quan tâm tới khi chạy RAM trên mức 4000 MT/s. Nếu máy đang sử dụng thuộc dòng Ryzen 3000, kiểu bố trí nào cũng không quan trọng lắm bởi 3800 MT/s là mức tối đa thường thấy khi chạy MCLL:FCLK = 1:1.
• Main dòng thấp có thể không ép xung tốt được bởi bản mạch (PCB) thường có chất lượng thấp và bản mạch cũng không có nhiều lớp(? - mỏng hơn).

Tới Post 1, Post 2, Post3, Post4​

Nhấp để mở rộng...

tieuvienson2005 đã nói:

Adata d41 3200 micron E 16202038
E oc theo hướng dẫn.
1. Bắt đầu với Vccsa, vccio 1.15v.
2. Tăng vdim lên 1.4
3. Chỉnh primary timing 16202040 tCWL 16.
4. Tăng lên 3333 test oke? tăng lên 3466 ko vào dc win...

Tiếp theo phải làm gì các b, 3333 thì e thử giảm 1.35v thì vẫn vào win test aida64 stress mem 10 phút vẫn ổn...

I5 10400f b560m pro4.

Trong khi thử cây team group 3200 16202040 hynix CJR ko phải chỉnh gì nhiều, chỉ cần đẩy vdim lên 1.37 thôi là dc 3733 16202040 rùi ạ

Nhấp để mở rộng...

maimaiyeu52 đã nói:

Đây cas lên 18, giữ 1.35vol, kéo lên 3533 hoặc 3600 xem được không.

Nhấp để mở rộng...

tieuvienson2005 đã nói:

1.35v 3466 18202040 fail
1.40v 3466 18202040 fail
1.35v 3466 18222242 fail
1.40v 3466 18222242 fail
1.45v 3466 18222242 fail

Đây bác

Nhấp để mở rộng...