Giảm thuế tncn nữa bác, với cả giảm thủ tục hành chính để mở các cty vi mạch dễ hơn nữa vì trước đó để mở thì giấy tờ cũng lộn xộn lắm nhưng h rẹt rẹt rồi. Với cả h ĐN cũng ko ưu tiên vm bd làm mũi nhọn nữa rồi, cỏ lúa bằng nhau hết, ô P đi qua vsab làm với sếp BA rồi ko biết ai hỗ trợ cầu nối kéo doanh nghiệp về mở vp tiếp đây :vvv
R chi nhánh Đà Nẵng là không phải đóng thuế TNCN rồi nha bác.
Ko đóng thuế TNCN thì lương sẽ giảm lại tương ứng
Đó là cách suy nghĩ của mấy sếp 
Chính sách khá là tốt với những bác nhiều năm kinh nghiệm lương cao rồi tăng lương hàng năm rất thấp trong khi đó đóng thuế lại khá cao. Nhiều anh em cũng muốn được ra ngoài Đà Nẵng lắm nhưng không được đó bác.Ko đóng thuế TNCN thì lương sẽ giảm lại tương ứng
analog khó hơn digital, job ít hơn digital nhưng mà theo được analog thì ngon hơn nhiều
Range lương từng nhánh của vi mạch , bôi xanh là nhánh thuộc Analog. Nói trước là mảng analog ko dễ theo đâu @
nếu fen quyết tâm thì khuyên là theo analog
này là range ở VN hay thế giới vậy anh, với lại em sao em không thấy về analog layout nhỉ
Ở Mỹ, mà ở thế giới thì cũng tương tự thôi, analog layout lương bằng or thấp hơn Physical Design 1 xíu
em thấy mấy cái trên thì ở VN mình chưa có nhiều EDA Dev, SoC a nhỉ có vẻ vẫn là tương lai
ước gì có mức này
uầy, thanks bác nhiều, em bik những cái bác nói chứ hiểu rõ chắc chưa tới tầm rồiBên đó làm super flash, nên sẽ hỏi về bộ nhớ, cấu trúc v2i, mạch pump 2.5V, pump 13V, LDO, sensing current, clock comparator....
Mạch pump 2.5 dùng cấu trúc doubler, còn pump 13v dùng 4 phase. V2i thì dùng cấu trúc LDO để tạo ra áp lẫn dòng. Sensing current thì dùng clock để precharge bitline, nó sẽ dựa vào 4 full erase cell làm ref, khi đó cell read sẽ đưa vào để so sánh.
Khi thiết kế thì phải build model cho array, tạo critical path cho read, và dùng Monte Carlo để đánh giá IO margin ( thường 50mV cho high speed và 150mV cho low speed)
Dc thì nghiên cứu thêm cell superflash, các chế độ ERASE, PROGRAM, READ.
Dùng floating gate để lưu electron, nên khi erase sẽ dùng điện áp cao để hút electron ra khỏi floating gate (13v)
Khi read thì sẽ hỏi về tốc độ, margin cell, BL recharge, select wordline ntn...
Program thì thường dùng dòng 1uA để hút hot electron từ kênh dẫn lên floating gate
Mấy cái mình nói bác mà hiểu rõ thì lên hẳn Principal Engineer bên đó cũng dc
mình nghĩ nếu thả cửa tự do cho fresher học thì chắc tầm 2 năm là các bạn hiểu được hết đám nàyBên đó làm super flash, nên sẽ hỏi về bộ nhớ, cấu trúc v2i, mạch pump 2.5V, pump 13V, LDO, sensing current, clock comparator....
Mạch pump 2.5 dùng cấu trúc doubler, còn pump 13v dùng 4 phase. V2i thì dùng cấu trúc LDO để tạo ra áp lẫn dòng. Sensing current thì dùng clock để precharge bitline, nó sẽ dựa vào 4 full erase cell làm ref, khi đó cell read sẽ đưa vào để so sánh.
Khi thiết kế thì phải build model cho array, tạo critical path cho read, và dùng Monte Carlo để đánh giá IO margin ( thường 50mV cho high speed và 150mV cho low speed)
Dc thì nghiên cứu thêm cell superflash, các chế độ ERASE, PROGRAM, READ.
Dùng floating gate để lưu electron, nên khi erase sẽ dùng điện áp cao để hút electron ra khỏi floating gate (13v)
Khi read thì sẽ hỏi về tốc độ, margin cell, BL recharge, select wordline ntn...
Program thì thường dùng dòng 1uA để hút hot electron từ kênh dẫn lên floating gate
Mấy cái mình nói bác mà hiểu rõ thì lên hẳn Principal Engineer bên đó cũng dc
2 năm thì đủ hiểu mấy chỗ trên có nghĩa là gì thôi fen, chứ bảo làm thực tế thì khoai đấy
bác này trước ở uniquify ra à
